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抛光硅片回收
作者:admin 发布日期:2016-06-03 08:35:05点击:1912

化学机械抛光(CMP)技术是集成电路(IC)和微机电系统(MEMS)制造领域的最重要的工艺方法,该技术主要用于IC和MEMS前工序的硅片表面微纳米光整和中间工序的集成平坦化;目前的研究热点是,改善抛光过程中硅片与抛光垫的接触状态,使接触压强获得最均匀的分布,以此来获得硅片最佳平坦化效果·S.R.Runnels[1]从摩擦学角度建立化学机械抛光的流体动压模型,并分析了动压效应对抛光接触状态的影响,但该研究不能解决完全接触或边界摩擦状态的效应·D.Wang[2],J.F.Luo[3]等建立了二维轴对称CMP过程的弹性力学模型,并使用I-DEAS软件分析获得接触过程的不均匀压强分布,但其忽略了抛光液的效应,并假设抛光硅片的表面剪切应力一致分布,给出的是Mises分布,这与抛光直接相关的接触压强分布是有区别的·Y.Y.Lin[4]使用ANSYS软件分别研究二维和三维模型下的接触Mises应力分布,基本揭示了角钝现象

 
 
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